通用系列-室溫反型層、平面擴(kuò)散-紫外增強(qiáng)型-硅光電二極管[room temperature (RT) inversion layer (IL) and planar diffused (Pl-Diff) ultraviolet-(UV)-enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]靈敏度高，快速響應(yīng)紫外光，低噪聲，適用于高精度紫外測(cè)量。其廣泛應(yīng)用于光電測(cè)量、光譜分析、光通信及紫外線探測(cè)等領(lǐng)域的需求。

近紅外增強(qiáng)系列-紫外增強(qiáng)型-硅光電二極管[near-infrared (NIR) enhanced ultraviolet (UV) enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]探測(cè)器，其探測(cè)范圍廣泛覆蓋紫外至近紅外波段，能夠精準(zhǔn)捕捉并高效轉(zhuǎn)換光信號(hào)為電信號(hào)。該系列探測(cè)器以低噪聲和快速響應(yīng)為特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于光電測(cè)量、光譜分析、光通信等多個(gè)領(lǐng)域。

近紅外抑制系列-紫外增強(qiáng)型-硅光電二極管[near-infrared (NIR) suppressed ultraviolet (UV) enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]顯著增強(qiáng)紫外響應(yīng)，同時(shí)有效抑制近紅外干擾，適用于熒光檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)及生物醫(yī)學(xué)等需排除近紅外干擾的紫外應(yīng)用。其特點(diǎn)包括高靈敏度、低噪聲及卓越線性度，性能卓越。